三星终于开始量产PRAM相变存储芯片

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作者: 上面文Q 驱动之家

CNETNews.com.cn

509-09-22 17:05:47

  三星电子确认,广为看好的PRAM相变随机存储器终于投入了大规模量产,比原计划的六月份晚了足有有二个季度,距离三星首次展示也不可能 过去了四年多。

  PRAM是有一种非易失性存储技术,通过切换硫系玻璃的结晶态和非结晶态来代表1和0,进而保存数据,不但并能替代做内存使用的动态存储DRAM,但会 读写强度并能达到NOR和NAND闪存的50倍以上,读写循环寿命都是 大慨10倍,但会 更适合取代闪存技术。

  三星首批PRAM芯片采用50nm工艺制造,容量512Mb(64MB),可在50毫秒内擦除64千字(KW),是NOR闪存的10多倍,一同在5MB大小的数据区内数据擦除和重写强度大慨是NOR闪存的大慨七倍。

  三星电子存储部门移动内存规划与推广事业部副总裁Sei-Jin Kim表示:“当当当我们 相信PRAM会对手机设计做出非常突出的贡献,不怎么是多媒体手机和智能手机。预计它将成为当当当我们 在未来的核心存储产品。”

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